Karakterisering en modellering van 0.35µm SiGe bipolaire transistoren onder gammastraling

In dit eindwerk bestuderen we de stralingseffecten op 8 SiGe bipolaire transistors en 4 weerstanden die geïmplementeerd werden met een 0.35µm technologie in een test-IC. We onderzoeken de effecten op de belangrijkste parameters en vergelijken het stralingsgedrag van een periodisch- met een continue gevoede IC. Het onderzoek naar stralingseffecten is nodig om stralingsbestendige schakelingen te kunnen ontwerpen. Deze componenten kunnen in de nucleaire- en ruimtevaartsector blootgesteld worden aan hoge stralingsdosissen. In een eerste hoofdstuk bepalen we welke karakteristieken er opgemeten dienen te worden. Om deze te kunnen meten, ontwerpen we vervolgens een meetschakeling. Daar we meerdere transistors en weerstanden wensen te testen over een langere periode in een gecontroleerde zone, hebben we de meetopstelling geautomatiseerd met behulp van een LabVIEW programma. Dit programma hebben we gedefinieerd en werd voor ons geprogrammeerd. Om onze metingen achteraf te verwerken gebruiken we Matlab en Excel. Via een aantal programma's berekenen we de nodige parameters om hun gedrag onder straling en in functie van de temperatuur te kunnen bestuderen.