Karakterisering van een digitale CMOS VCSEL driver onder gammastraling

In dit eindwerk wordt een digitale CMOS driver, die instaat voor de aansturing van een laserdiode, besproken en gekarakteriseerd. Deze laserdiode zal dienen als bron voor optische communicatie tussen een radioactieve zone en bijvoorbeeld een controlekamer. Als halfgeleiders worden blootgesteld aan stalingsdosissen, zullen hun elektrische eigenschappen veranderen. Omdat deze driver is opgebouwd uit CMOS technologie, worden enkele transistoren gekarakteriseerd en besproken. Verder worden er nog metingen gedaan op de driver zelf om te zien of deze nog naar behoren zal werken na één maand bestraling.