Karakterisering van twee stralingsharde 0.35µm SiGe opamps en vergelijking met een commercieel design

Deze masterproef behandelt de karakterisatie van twee geïntegreerde 0.35µm SiGe versterkers en er wordt een vergelijking gemaakt met een commercieel beschikbare versterker. Dit werkstuk vormt de voorbereiding van een bestralingstest, die op deze IC's zal worden uitgevoerd. Deze bestralingstest met gammastralen wordt gedaan in het kader van de ontwikkeling van stralingsharde elektronica. Elektronische schakelingen opgebouwd met stralingsharde componenten, vinden hun toepassing in de nucleaire- en ruimtevaartsector. In de eerste hoofdstukken wordt er een korte inleiding gegeven over radioactieve straling en de bestralingsfaciliteit van het SCK-CEN. Dan volgt een korte bespreking van de invloed van radioactieve straling op geïntegreerde transistoren. De circuits van de SiGe versterkers worden besproken, evenals de reden waarom dit stralingsharde ontwerpen zijn. Er wordt ook aangehaald wat de keuze van het commercieel beschikbare design heeft bepaald.